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SANTEC/TMS-2000/高重復性模型

SANTEC/TMS-2000/高重復性模型
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詳細資料：

產(chǎn)品描述：

Santec 的新系統(tǒng) TMS-2000 為半導體晶圓厚度的高精度亞納米測繪帶來了新的動態(tài)。 TMS-2000 采用一種新穎的激光掃描方法（以前未在行業(yè)中用于晶圓測繪），為行業(yè)帶來了多項優(yōu)勢；對溫度變化不敏感的精確厚度測量，單個系統(tǒng)不僅可以測量 Si 單層，還可以測量 SiC 和 GaN 等功率半導體以及 SOI 等多層晶圓，其成本點對生產(chǎn)中廣泛部署具有吸引力。隨著半導體器件尺寸的減小，光刻工藝的公差變得更加精細，提高了晶圓厚度和場地平整度測量的高精度的重要性。對于非接觸式，業(yè)界一直依賴外差干涉或斐索條紋分析系統(tǒng)進行亞納米精度測量，但這些系統(tǒng)在普遍采用方面存在一些缺點。當前的這些解決方案需要正面和背面晶圓照明，對溫度變化和振動敏感，并且復雜性和成本很高。 Santec TMS-2000 解決了當前解決方案中發(fā)現(xiàn)的所有問題。

特點：

測量精度高：運用干涉檢測技術，重復精度可達 1nm，能精確測量晶圓厚度和平整度。

測量參數(shù)豐富：可以分析全局（GFLR、GFLD、GBIR）、站點（SFQR、SFQD、SBIR）、邊緣（ESFQR）等參數(shù)，符合 SEMI 標準。

環(huán)境耐受性強：對溫度變化和振動不敏感，無需溫度控制或振動對策，可在多種環(huán)境下穩(wěn)定工作。

設備尺寸緊湊：體積較小，適合多種應用場景，便于安裝和使用。

掃描速度快：具備螺旋掃描功能，可實現(xiàn)高速、高密度掃描，提高測量效率。

適用范圍廣：不僅可測量單層硅，還適用于碳化硅、氮化鎵等功率半導體以及 SOI 等多層晶圓，也能用于重摻雜硅的測量，且采用單面照明方式。

成本優(yōu)勢明顯：與傳統(tǒng)解決方案相比，具有一定的成本優(yōu)勢，更有利于在生產(chǎn)中廣泛部署。